

IMSQ120R040M2HHXUMA1 | |
---|---|
cms-digikey-product-number | 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IMSQ120R040M2HHXUMA1 |
cms-description | SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16 |
cms-standard-lead-time | 26 týdnů |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 57A (Tc) 290W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-16-221 |
cms-datasheet | cms-datasheet |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
---|---|---|
cms-category | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | SiCFET (karbid křemíku) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 57A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 40mOhm při 18A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,1V při 5,5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 36nC při 0V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1310pF při 800V | |
Výkon - max | 290W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 24-BSOP (0,606", 15,40mm šířka), 16 přívodů, Podložka pro odvod tepla | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-HDSOP-16-221 |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
1 | 354,53000 Kč | 354,53 Kč |
10 | 251,52200 Kč | 2 515,22 Kč |
100 | 234,25420 Kč | 23 425,42 Kč |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
---|---|---|
750 | 191,38355 Kč | 143 537,66 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 354,53000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 428,98130 Kč |