Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 704.0627 CZK
Availability: InStock

Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-16-221

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Popis	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Standardní dodací lhůta výrobce	54 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-16-221
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 26mOhm při 27A, 18V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 8,6mA
Řada CoolSiC™ G2	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 54nC při 0V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1990pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 410W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pouzdro 24-BSOP (0,606", 15,40mm šířka), 16 přívodů, Podložka pro odvod tepla
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 83A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-16-221