Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HTR-ND
Price: 558.0278 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG65R010M2H
Číslo produktu DigiKey	448-IMBG65R010M2HTR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG65R010M2HCT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBG65R010M2H
Popis	IMBG65R010M2H
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	158A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,1mOhm při 92,1A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 18,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4001 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	535W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-12
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 192

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®