Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 74.9474 CZK
Availability: InStock

IGLR65R200D2XUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGLR65R200D2XUMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 9,2A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGLR65R200D2XUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™ G5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	240mOhm při 2,1A
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 710µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.26 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	91 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	34W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-8
Pouzdro	8-PowerTDFN

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	17,35661 Kč	86 783,05 Kč
10 000	16,50180 Kč	165 018,00 Kč

Jednotková cena bez DPH:	61,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:	74,94740 Kč

IGLR65R200D2XUMA1