Name: IGL65R110D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R110D2XUMA1TR-ND
Price: 137.9642 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGL65R110D2XUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGL65R110D2XUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGL65R110D2XUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGL65R110D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGL65R110D2XUMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 16A 8TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 16A (Tc) 59W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TSON-8-U06
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,6V při 1,3mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2.4 nC @ 3 V
Řada CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 170 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 59W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-8-U06
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Tc)	Pouzdro 8-TDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 140mOhm při 4A