Name: IAUMN08S5N012GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND
Price: 176.1397 CZK
Availability: InStock

N-kanál 80 V 300A (Tj) 325W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-4-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUMN08S5N012GAUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUMN08S5N012GAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUMN08S5N012GAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUMN08S5N012GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUMN08S5N012GAUMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 300A (Tj) 325W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-4-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUMN08S5N012GAUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 232µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 194 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 13550 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 325W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 300A (Tj)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-4-1
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,2mOhm při 100A, 10V	Pouzdro 4-PowerSFN