Name: IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND
Price: 108.7548 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN08S7L013ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN08S7L013ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN08S7L013ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN08S7L013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN08S7L013ATMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V(
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 293A (Tj) 219W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-53
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	293A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,26mOhm při 88A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 131µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9554 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	219W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-53
Pouzdro	8-PowerTDFN