Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 29.4877 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN04S6N017TATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN04S6N017TATMA1
Popis	MOSFET_(20V 40V)
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) Montáž na povrch PG-LHDSO-10-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN04S6N017TATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Ta), 120A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,73mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3250 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	103W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-LHDSO-10-1
Pouzdro	10-LSOP (0,216", 5,48mm šířka) podložka pro odvod tepla