Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 27.7211 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUC120N04S6N009ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUC120N04S6N009ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-33
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUC120N04S6N009ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7360 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-33
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IAUC120