Name: GS0650182LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND
Price: 278.2153 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GS0650182LMRXUSA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-GS0650182LMRXUSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-GS0650182LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS0650182LMRXUSA1
Popis	GS-065-018-2-L-MR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 18A (Tc) Montáž na povrch 8-PDFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 110mOhm při 5,5A, 6V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 4,8mA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4 nC @ 6 V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Vgs (max) +7V, -10V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 132 pF @ 400 V
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PDFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-VDFN podložka pro odvod tepla