FF6MR12W2M1B11BOMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 59
Jednotková cena : 3 784,86000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2BM-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Číslo produktu DigiKey
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2BM-2
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,63mOhm při 200A, 15V
Výrobce
Infineon Technologies
Vgs(th) (max) při Id
5,55V při 80mA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
496nC při 15V
Balení
Nosič
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14700pF při 800V
Stav součásti
Zastaralé
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Pouzdro
Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Dodávaná velikost pouzdra
AG-EASY2BM-2
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
200A (Tj)
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (1)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon Technologies59448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND3 784,86000 KčParametrický ekvivalent
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.