Parametrický ekvivalent




FF6MR12W2M1B11BOMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
Popis | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2BM-2 |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 5,63mOhm při 200A, 15V |
Výrobce Infineon Technologies | Vgs(th) (max) při Id 5,55V při 80mA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 496nC při 15V |
Balení Nosič | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14700pF při 800V |
Stav součásti Zastaralé | Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie Karbid křemíku (SiC) | Způsob montáže Montáž na šasi |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Pouzdro Modul |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV) | Dodávaná velikost pouzdra AG-EASY2BM-2 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200A (Tj) | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | 59 | 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND | 3 784,86000 Kč | Parametrický ekvivalent |





