FF6MR12W2M1B11BOMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 15
Jednotková cena : 3 156,45000 Kč
Katalogový list
AG-EASY2BM-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Číslo produktu DigiKey
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2BM-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
Balení
Nosič
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
200A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,63mOhm při 200A, 15V
Vgs(th) (max) při Id
5,55V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
496nC při 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14700pF při 800V
Výkon - max
-
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
AG-EASY2BM-2
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.