Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 3819.3045 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Číslo produktu DigiKey	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,63mOhm při 200A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	5,55V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	496nC při 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14700pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 15

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 156,45000 Kč	3 156,45 Kč
18	2 813,99889 Kč	50 651,98 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.