Name: BSZ900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 50.941 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSZ900N20NS3GATMA1
cms-digikey-product-number	BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ900N20NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSZ900N20NS3GATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
cms-standard-lead-time	52 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 200 V 15,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	BSZ900N20NS3GATMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 7,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 30µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	920 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ900

Jednotková cena bez DPH:	42,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:	50,94100 Kč

BSZ900N20NS3GATMA1