Name: BSZ150N10LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ150N10LS3GATMA1TR-ND
Price: 53.9418 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSZ150N10LS3GATMA1
cms-digikey-product-number	BSZ150N10LS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ150N10LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSZ150N10LS3GATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
cms-standard-lead-time	26 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 100 V 40A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	BSZ150N10LS3GATMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 33µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2500 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ150

Jednotková cena bez DPH:	44,58000 Kč
Jednotková cena s DPH:	53,94180 Kč

BSZ150N10LS3GATMA1