Name: BSZ099N06LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ099N06LS5ATMA1TR-ND
Price: 38.115 CZK
Availability: InStock

BSZ099N06LS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ099N06LS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ099N06LS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ099N06LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ099N06LS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 11A (Ta), 46A (Tc) 2,1W (Ta), 36W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ099N06LS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ099

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	6,80575 Kč	34 028,75 Kč
10 000	6,49888 Kč	64 988,80 Kč

Jednotková cena bez DPH:	31,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:	38,11500 Kč

BSZ099N06LS5ATMA1