Name: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 58.9512 CZK
Availability: InStock

BSZ097N10NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ097N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ097N10NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ097N10NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2080 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ097

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	13,08604 Kč	65 430,20 Kč
10 000	12,34682 Kč	123 468,20 Kč

Jednotková cena bez DPH:	48,72000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,95120 Kč

BSZ097N10NS5ATMA1