PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ097N04LSGATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ097N04LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSZ097N04LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSZ097N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ097N04LSGATMA1
Popis
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ097N04LSGATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ097
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 9 589
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
125,05000 Kč25,05 Kč
1015,68200 Kč156,82 Kč
10010,31870 Kč1 031,87 Kč
5008,01078 Kč4 005,39 Kč
1 0007,26730 Kč7 267,30 Kč
2 0006,64159 Kč13 283,18 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0005,78547 Kč28 927,35 Kč
10 0005,37960 Kč53 796,00 Kč
15 0005,37143 Kč80 571,45 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:25,05000 Kč
Jednotková cena s DPH:30,31050 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,52000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,68000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,94000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
IGB070S10S1XTMA1

IGB070S10S1XTMA1

MV GAN DISCRETES

Infineon Technologies

66,52000 Kč
BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

26,52000 Kč
DM53745-107

DM53745-107

D SUB

ITT Cannon, LLC

184,82000 Kč
BSZ063N04LS6ATMA1

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON

Infineon Technologies

15,37000 Kč
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON

Infineon Technologies

40,42000 Kč
BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON

Infineon Technologies

21,68000 Kč
FDN86246

FDN86246

MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3

onsemi

39,78000 Kč
16R400GPR

16R400GPR

PTC RESET FUSE 16V 4A RADIAL

Littelfuse Inc.

20,00000 Kč
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Infineon Technologies

25,05000 Kč
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323

Diodes Incorporated

13,05000 Kč