Name: BSZ097N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N04LSGATMA1TR-ND
Price: 33.2871 CZK
Availability: InStock

BSZ097N04LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ097N04LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ097N04LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ097N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ097N04LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ097N04LSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ097

Jednotková cena bez DPH:	27,51000 Kč
Jednotková cena s DPH:	33,28710 Kč

BSZ097N04LSGATMA1