BSZ088N03MSGATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 36 682
Jednotková cena : 13,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 5 086
Jednotková cena : 28,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 27,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 17,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 5 167
Jednotková cena : 38,19000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 185
Jednotková cena : 28,95000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 6 200
Jednotková cena : 32,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,64000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 4 649
Jednotková cena : 13,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 572
Jednotková cena : 18,48000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 766
Jednotková cena : 28,95000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ088N03MSGATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ088N03MSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSZ088N03MSGATMA1
Popis
MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2100 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.