


RQ3E100BNTB | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | RQ3E100BNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | RQ3E100BNTB |
Popis | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | RQ3E100BNTB Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 10,4mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1100 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 2W (Ta) | |
Provozní teplota | 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-HSMT (3,2x3) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 14,07000 Kč | 14,07 Kč |
| 10 | 8,73500 Kč | 87,35 Kč |
| 100 | 5,59810 Kč | 559,81 Kč |
| 500 | 4,24622 Kč | 2 123,11 Kč |
| 1 000 | 3,81009 Kč | 3 810,09 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,25553 Kč | 9 766,59 Kč |
| 6 000 | 2,97608 Kč | 17 856,48 Kč |
| 9 000 | 2,83368 Kč | 25 503,12 Kč |
| 15 000 | 2,67365 Kč | 40 104,75 Kč |
| 21 000 | 2,57887 Kč | 54 156,27 Kč |
| 30 000 | 2,48677 Kč | 74 603,10 Kč |
| 75 000 | 2,41477 Kč | 181 107,75 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 14,07000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 17,02470 Kč |

