Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 52.0905 CZK
Availability: OutOfStock

BSZ067N06LS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ067N06LS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ067N06LS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 3
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	BSZ067

Jednotková cena bez DPH:	43,05000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,09050 Kč

BSZ067N06LS3GATMA1