Name: BSZ040N06LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ040N06LS5ATMA1TR-ND
Price: 60.7299 CZK
Availability: InStock

BSZ040N06LS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ040N06LS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ040N06LS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ040N06LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ040N06LS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 17A (Ta), 101A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ040N06LS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Ta), 101A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ040

Jednotková cena bez DPH:	50,19000 Kč
Jednotková cena s DPH:	60,72990 Kč

BSZ040N06LS5ATMA1