BSS123IXTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
Skladem : 25 633
Jednotková cena : 0,22000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23-3-5
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSS123IXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-BSS123IXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSS123IXTMA1
Popis
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23-3-5
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
190mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6Ohm při 190mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
15 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT23-3-5
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu
BSS123
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.