Name: BSS119NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS119NH6327XTSA1TR-ND
Price: 7.1148 CZK
Availability: OutOfStock

BSS119NH6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSS119NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSS119NH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSS119NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSS119NH6327XTSA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSS119NH6327XTSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	190mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6Ohm při 190mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	20.9 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT23
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	BSS119

Jednotková cena bez DPH:	5,88000 Kč
Jednotková cena s DPH:	7,11480 Kč

BSS119NH6327XTSA1