Name: BSP316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP316PH6327XTSA1TR-ND
Price: 25.41 CZK
Availability: InStock

BSP316PH6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSP316PH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSP316PH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSP316PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSP316PH6327XTSA1
Popis	MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 680mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSP316PH6327XTSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	680mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8Ohm při 680mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 170µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	146 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,8W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223-4
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	BSP316

Jednotková cena bez DPH:	21,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	25,41000 Kč

BSP316PH6327XTSA1