Name: BSP297H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP297H6327XTSA1TR-ND
Price: 24.2 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSP297H6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSP297H6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSP297H6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSP297H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSP297H6327XTSA1
Popis	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSP297H6327XTSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	660mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8Ohm při 660mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,8V při 400µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	357 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,8W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223-4
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	BSP297