BSO130P03SHXUMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,79000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 038
Jednotková cena : 44,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 6 336
Jednotková cena : 53,96000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 74
Jednotková cena : 33,81000 Kč
Katalogový list
P-kanál 30 V 9,2A (Ta) 1,56W (Ta) Montáž na povrch PG-DSO-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSO130P03SHXUMA1

Číslo produktu DigiKey
BSO130P03SHXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSO130P03SHXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSO130P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSO130P03SHXUMA1
Popis
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 9,2A (Ta) 1,56W (Ta) Montáž na povrch PG-DSO-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSO130P03SHXUMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
13mOhm při 11,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 140µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3520 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,56W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-DSO-8
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.