Name: BSC160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC160N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 44.2134 CZK
Availability: InStock

BSC160N10NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC160N10NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC160N10NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC160N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC160N10NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 8,8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC160N10NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,8A (Ta), 42A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 33A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 33µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	60W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC160

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	9,39383 Kč	46 969,15 Kč
10 000	9,11838 Kč	91 183,80 Kč

Jednotková cena bez DPH:	36,54000 Kč
Jednotková cena s DPH:	44,21340 Kč

BSC160N10NS3GATMA1