Name: BSC098N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC098N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 47.5167 CZK
Availability: InStock

BSC098N10NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC098N10NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC098N10NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC098N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC098N10NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC098N10NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,8mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2100 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC098

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	10,20037 Kč	51 001,85 Kč
10 000	10,02655 Kč	100 265,50 Kč

Jednotková cena bez DPH:	39,27000 Kč
Jednotková cena s DPH:	47,51670 Kč

BSC098N10NS5ATMA1