Name: BSC090N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC090N03LSGATMA1TR-ND
Price: 24.4541 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC090N03LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC090N03LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC090N03LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC090N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC090N03LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 13A (Ta), 48A (Tc) 2,5W (Ta), 32W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC090N03LSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta), 48A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 32W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-5
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC090

Jednotková cena bez DPH:	20,21000 Kč
Jednotková cena s DPH:	24,45410 Kč

BSC090N03LSGATMA1