Name: BSC0500NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0500NSIATMA1TR-ND
Price: 52.0905 CZK
Availability: InStock

BSC0500NSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC0500NSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC0500NSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC0500NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC0500NSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC0500NSIATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,3mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3300 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC0500

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	11,42203 Kč	57 110,15 Kč
10 000	11,41766 Kč	114 176,60 Kč

BSC0500NSIATMA1

Jednotková cena bez DPH:	43,05000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,09050 Kč