BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

BSC030N04NSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC030N04NSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC030N04NSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC030N04NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC030N04NSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC030N04NSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 49µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC030

Jednotková cena bez DPH:	32,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:	39,13140 Kč

BSC030N04NSGATMA1