Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 135.1691 CZK
Availability: InStock

BSC027N10NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC027N10NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC027N10NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,7mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 146µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8200 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-3
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC027

Jednotková cena bez DPH:	111,71000 Kč
Jednotková cena s DPH:	135,16910 Kč

BSC027N10NS5ATMA1