BSC022N04LSATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 383
Jednotková cena : 41,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 497
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Diotec Semiconductor
Skladem : 4 998
Jednotková cena : 36,75000 Kč
Katalogový list

Similar


YAGEO XSEMI
Skladem : 995
Jednotková cena : 31,71000 Kč
Katalogový list
N-kanál 40 V 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC022N04LSATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC022N04LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSC022N04LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSC022N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSC022N04LSATMA1
Popis
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC022N04LSATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2600 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-6
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.