Name: BSC011N03LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC011N03LSIATMA1TR-ND
Price: 51.9211 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC011N03LSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC011N03LSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC011N03LSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC011N03LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC011N03LSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC011N03LSIATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,1mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4300 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 96W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC011

Jednotková cena bez DPH:	42,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:	51,92110 Kč

BSC011N03LSIATMA1