Name: BSC010N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSATMA1TR-ND
Price: 50.6627 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC010N04LSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC010N04LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC010N04LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC010N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC010N04LSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC010N04LSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	38A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6800 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 139W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8 FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC010

Jednotková cena bez DPH:	41,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:	50,66270 Kč

BSC010N04LSATMA1