Name: BSC010N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSATMA1TR-ND
Price: 76.2179 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC010N04LSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC010N04LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC010N04LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC010N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC010N04LSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC010N04LSATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 95 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6800 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 139W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8 FL
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSC010
Rds zap (max) při Id, Vgs 1mOhm při 50A, 10V