AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

AUIRFS3107-7P je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 33

Jednotková cena : 134,77000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 4 778

Jednotková cena : 114,57000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 871

Jednotková cena : 163,10000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRFS3107-7P
Číslo produktu DigiKey	AUIRFS3107-7P-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRFS3107-7P
Popis	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Montáž na povrch D2PAK (7-vodičů)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	240A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,6mOhm při 160A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9200 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	370W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK (7-vodičů)
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)