Name: AUIRF7759L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7759L2TR-ND
Price: 275.1661 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRF7759L2TR
Číslo produktu DigiKey	448-AUIRF7759L2TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AUIRF7759L2TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AUIRF7759L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRF7759L2TR
Popis	MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 375A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch DirectFET™ izometrický L8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 300 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada HEXFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12222 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Stav součásti Datum posledního nákupu	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 75 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 375A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DirectFET™ izometrický L8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro DirectFET™ izometrický L8
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,3mOhm při 96A, 10V	Základní číslo produktu AUIRF7759
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA