AUIRF7303Q Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

AUIRF7303Q je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 22 906

Jednotková cena : 24,37000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 2 417

Jednotková cena : 33,74000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AUIRF7303Q
Číslo produktu DigiKey	AUIRF7303Q-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AUIRF7303Q
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 5,3A 2,4W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 2,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	515pF při 25V
Výkon - max	2,4W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	AUIRF7103