Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 966.7537 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

N-kanál 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMBG75R007M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies Americas Corp.
Číslo produktu výrobce	AIMBG75R007M2HXTMA1
Popis	AIMBG75R007M2HXTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AIMBG75R007M2HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 28,5mA
Mfr Infineon Technologies Americas Corp.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 169 nC @ 18 V
Řada CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5854 pF @ 500 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 651W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 750 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 198A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-12
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,3mOhm při 129,7A, 20V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA