Name: AIMBG120R030M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND
Price: 399.4936 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMBG120R030M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMBG120R030M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMBG120R030M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMBG120R030M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMBG120R030M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 70A (Tc) 333W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	70A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	38mOhm při 27A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 8,6mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (max)	+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1738 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	333W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-12
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	AIMBG120