Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 105.8629 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

GT100N20TT
Číslo produktu DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GT100N20TT
Popis	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 130A (Tc) 280W (Tc) Montáž na povrch TOLT
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	SGT
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	130A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4900 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	280W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLT
Pouzdro	16-PowerSOP modul

Jednotková cena bez DPH:	87,49000 Kč
Jednotková cena s DPH:	105,86290 Kč

GT100N20TT