Name: GT065P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT065P06D5TR-ND
Price: 67.6269 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT065P06D5
Číslo produktu DigiKey	3141-GT065P06D5TR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-GT065P06D5CT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-GT065P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GT065P06D5
Popis	MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 103A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při -20A, -10V
Mfr Goford Semiconductor	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada SGT	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 62 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5730 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 178W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 103A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (4,9x5,75)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN