Name: GT065P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT065P06D5TR-ND
Price: 57.2088 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT065P06D5
Číslo produktu DigiKey	3141-GT065P06D5TR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-GT065P06D5CT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-GT065P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GT065P06D5
Popis	MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 103A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	SGT
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	103A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7mOhm při -20A, -10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5730 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	178W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFN (4,9x5,75)
Pouzdro	8-PowerTDFN