Name: DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006H03SQTR-ND
Price: 64.2752 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DI006H03SQ
Číslo produktu DigiKey	4878-DI006H03SQTR-ND - Páska a cívka (TR) 4878-DI006H03SQCT-ND - Řezaná páska (CT) 4878-DI006H03SQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diotec Semiconductor
Číslo produktu výrobce	DI006H03SQ
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DI006H03SQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Výrobce Diotec Semiconductor	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 1,5W (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Ta), 4.2A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 950

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®