Name: ZXMN2F30FHQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZXMN2F30FHQTATR-ND
Price: 14.52 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

ZXMN2F30FHQTA
Číslo produktu DigiKey	31-ZXMN2F30FHQTATR-ND - Páska a cívka (TR) 31-ZXMN2F30FHQTACT-ND - Řezaná páska (CT) 31-ZXMN2F30FHQTADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	ZXMN2F30FHQTA
Popis	MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 4,9A (Ta) 1,4W Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	45mOhm při 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	452 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,4W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	ZXMN2

Jednotková cena bez DPH:	12,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	14,52000 Kč

ZXMN2F30FHQTA