Name: DMTH10H071LFDFWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND
Price: 5.2004 CZK
Availability: OutOfStock

DMTH10H071LFDFWQ-7 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 3,25871 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 3,76998 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 3,60420 Kč

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH10H071LFDFWQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H071LFDFWQ-7
Popis	IC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 4,6A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch, Smáčitelný bok U-DFN2020-6 (SWP) (typ UXG)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	68mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	296 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,8W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (SWP) (typ UXG)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla