Name: DMTH10H010SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND
Price: 61.6374 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

DMTH10H010SPSQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH10H010SPSQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH10H010SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H010SPSQ-13
Popis	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11,8A (Ta), 100A (Tc) 1,5W (Ta), 166W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,8A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,8mOhm při 13A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4468 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,5W (Ta), 166W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	DMTH10

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	14,47870 Kč	36 196,75 Kč
5 000	14,36663 Kč	71 833,15 Kč

Jednotková cena bez DPH:	50,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:	61,63740 Kč

DMTH10H010SPSQ-13