Name: DMT47M2SFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT47M2SFVW-13DI-ND
Price: 6.33408 CZK
Availability: OutOfStock

DMT47M2SFVW-13 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 1 337

Jednotková cena : 21,89000 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 744

Jednotková cena : 19,16000 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 19,16000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT47M2SFVW-13
Číslo produktu DigiKey	DMT47M2SFVW-13DI-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT47M2SFVW-13
Popis	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 15,4A (Ta), 49,1A (Tc) 2,67W (Ta), 27,1W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15,4A (Ta), 49,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	897 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,67W (Ta), 27,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMT47