Name: DMT10H075LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H075LE-13TR-ND
Price: 5.02501 CZK
Availability: OutOfStock

DMT10H075LE-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H075LE-13TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H075LE-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 4A (Ta) 2,4W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	65mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	228 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,4W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223-3
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA

Jednotková cena bez DPH:	4,15290 Kč
Jednotková cena s DPH:	5,02501 Kč

DMT10H075LE-13