Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP6018LPSQ-13TR-ND
Price: 69.8654 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP6018LPSQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMP6018LPSQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMP6018LPSQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMP6018LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP6018LPSQ-13
Popis	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 60A (Tc) 2,6W (Ta), 113W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMP6018LPSQ-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13.7 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3505 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,6W (Ta), 113W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 17A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA