Name: DMP21D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP21D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 10.4181 CZK
Availability: OutOfStock

DMP21D0UFB4-7B
Číslo produktu DigiKey	DMP21D0UFB4-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMP21D0UFB4-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMP21D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP21D0UFB4-7B
Popis	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMP21D0UFB4-7B Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	770mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	495mOhm při 400mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.54 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	80 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	430mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X2-DFN1006-3
Pouzdro	3-XFDFN
Základní číslo produktu	DMP21

Jednotková cena bez DPH:	8,61000 Kč
Jednotková cena s DPH:	10,41810 Kč

DMP21D0UFB4-7B